Предзаказ

SSD накопитель Samsung MZ-VAP2T0CW 2ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP2T0CW]

(0)
(0)
Добавить в сравнение
Характеристики
Модель:
MZ-VAP2T0CW 2ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP2T0CW]
Ширина:
25 мм
Вес:
30 г
Особенности:
2GB LPDDR4X, Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Длина:
80.15 мм
Толщина:
8.88 мм
Энергопотребление:
8.1 Вт
Максимальная скорость записи:
13400 МБ/с
Максимальная скорость чтения:
14700 МБ/с
Тип памяти:
TLC
Форм-фактор:
M.2 2280
Объем накопителя (ГБ):
от 1960 Гб
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Разъем подключения:
M.2
Ресурс TBW:
от 1000 Тб, 1200 ТБ
Скорость чтения:
от 7000 МБ/с
Скорость записи:
от 3500 МБ/с
Количество бит на ячейку:
3 бит TLC
Ключ M.2 разъема:
M
Радиатор в комплекте:
1, есть
DRAM буфер:
1, есть
NVMe:
1
Объем накопителя:
2 ТБ
Разъем:
M.2
Структура памяти NAND:
3D NAND
Тип жесткого диска:
внутренний твердотельный накопитель
Поддержка NVMe:
2.0
Поддержка TRIM:
есть
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS):
2600 kIOPS
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS):
1850 kIOPS
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Ударостойкость при хранении:
1500 G
Ударостойкость при работе:
1500 G
DWPD:
0.33
Все характеристики
+ 358 бонусов
В наличии на складе
Нет в наличии
Выбрать
    Описание
    Характеристики
    Отзывы
    Описание

    Samsung MZ-VAP2T0CW — внутренний твердотельный NVMe-накопитель формата M.2 2280 объёмом 2 ТБ с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и поддержкой NVMe 2.0, разработанный для профессиональных рабочих станций и высокопроизводительных игровых ПК, где требуется максимальная скорость передачи данных.

    • Интерфейс: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0, ключ M
    • Скорость чтения / записи: до 14 700 / 13 400 МБ/с
    • Ресурс TBW: 1200 ТБ, MTBF 1 500 000 ч
    • Для кого: профессиональные рабочие станции, монтаж видео 8K, игровые ПК на платформах AMD AM5 / Intel LGA1851
    Samsung MZ-VAP2T0CW 2 ТБ PCIe 5.0 — металлический теплораспределитель и золотистые контакты M.2

    Коротко — для кого этот SSD

    Samsung MZ-VAP2T0CW ориентирован на пользователей, которым скорость хранилища сегодня является узким местом: профессиональные видеомонтажёры, работающие с потоками RAW и 8K ProRes, разработчики ПО с большими компиляциями, а также энтузиасты ПК, уже перешедшие на платформы с поддержкой PCIe 5.0. Для повседневного офисного компьютера или бюджетного игрового ПК скоростной потенциал этого накопителя останется нереализованным — интерфейс PCIe 5.0 требует актуального чипсета (AMD X670E/B650E или Intel Z790/Z890).

    Главные плюсы и ограничения Samsung MZ-VAP2T0CW

    Samsung MZ-VAP2T0CW демонстрирует флагманские показатели скорости среди серийных M.2-накопителей потребительского и просьюмерского уровня.

    • Последовательное чтение до 14 700 МБ/с по данным производителя — наивысший показатель среди 2-ТБ M.2 NVMe на рынке РФ
    • DRAM-буфер 2 ГБ LPDDR4X — стабильная случайная запись без провалов под нагрузкой
    • Ресурс 1200 ТБ TBW и MTBF 1 500 000 часов — уровень рабочих станций
    • Аппаратное шифрование AES 256 + TCG/Opal v2.0 + MS eDrive (IEEE 1667) — полная защита данных без потери производительности
    • Теплораспределитель в комплекте — накопитель готов к установке без дополнительных покупок
    • Требует слота PCIe 5.0 x4 — на платах с PCIe 4.0 скорость ограничится ~7000 МБ/с
    • Энергопотребление 8,1 Вт под нагрузкой — выше среднего для M.2, важно учитывать при сборке компактных систем
    • Толщина 8,88 мм с теплораспределителем — может не войти в некоторые ноутбуки и компактные корпуса

    Производительность — что дают 14 700 МБ/с на практике

    Последовательное чтение и запись Samsung MZ-VAP2T0CW

    Samsung MZ-VAP2T0CW достигает скорости последовательного чтения 14 700 МБ/с и записи 13 400 МБ/с по данным производителя — это в два раза быстрее лучших накопителей PCIe 4.0 предыдущего поколения. На практике это означает, что файл размером 100 ГБ перемещается внутри накопителя менее чем за 8 секунд. Профессиональный монтаж 8K ProRes RAW с нескольких видеодорожек перестаёт быть испытанием для хранилища — потоковая нагрузка остаётся в пределах пропускной способности даже при одновременном чтении и записи.

    По наблюдениям редакции FormulaTV в условиях тестового стенда, при длительных нагрузках (многоминутные синтетические тесты) скорость остаётся стабильной благодаря DRAM-буферу 2 ГБ LPDDR4X и штатному теплораспределителю — троттлинга из-за перегрева не фиксировалось при адекватном воздушном потоке в корпусе.

    Случайные операции и отклик Samsung MZ-VAP2T0CW

    Samsung MZ-VAP2T0CW обеспечивает до 1850 kIOPS на случайное чтение и до 2600 kIOPS на случайную запись блоками 4 КБ по данным производителя — показатели, критичные для задач с множеством мелких файлов. Компиляция крупных C++ или Rust-проектов, индексирование баз данных, работа с виртуальными машинами — во всех этих сценариях случайный IOPS ощутимее последовательной скорости. Архитектура 3D NAND TLC в сочетании с собственным контроллером Samsung обеспечивает низкую задержку даже при заполнении накопителя выше 80%.

    Samsung MZ-VAP2T0CW боковой профиль — рёбра охлаждения теплораспределителя и контакты M.2

    Ресурс и надёжность — сколько прослужит накопитель

    Samsung MZ-VAP2T0CW рассчитан на ресурс 1200 ТБ TBW при заявленном DWPD 0,33 и MTBF 1 500 000 часов по данным производителя. При интенсивной работе — например, ежедневная запись 300 ГБ (типичная нагрузка при видеомонтаже) — гарантийный ресурс будет выработан примерно за 11 лет. Для сравнения: накопители PCIe 4.0 аналогичного объёма в среднем имеют TBW 600–800 ТБ. Ударостойкость при хранении и работе — 1500 G по информации производителя Samsung, что соответствует стандартам транспортировки профессионального оборудования.

    Совет от редакции FormulaTV, AV и PC-направление: «Если вы планируете использовать MZ-VAP2T0CW в системе с воздушным охлаждением, убедитесь, что к слоту M.2 есть хотя бы минимальный поток воздуха от корпусного вентилятора — при нагрузке 8,1 Вт накопитель греется заметнее, чем PCIe 4.0-аналоги. На закрытых платах типа mini-ITX это особенно важно».

    Безопасность и шифрование — что скрывается за Class 0

    Аппаратное шифрование AES 256 и TCG/Opal v2.0 на Samsung MZ-VAP2T0CW

    Samsung MZ-VAP2T0CW поддерживает аппаратное шифрование AES 256-бит в классе Class 0, стандарт TCG/Opal v2.0 и MS eDrive (IEEE 1667). Это означает, что шифрование выполняется встроенным контроллером накопителя без нагрузки на CPU — производительность системы не снижается при включённом BitLocker на Windows 11 Pro/Enterprise. TCG/Opal v2.0 позволяет использовать накопитель с корпоративными системами управления безопасностью (например, VeraCrypt с Opal-backend, Symantec Drive Encryption), а MS eDrive обеспечивает интеграцию с BitLocker без программного слоя. Для рабочих станций, работающих с конфиденциальными данными или подпадающих под требования регуляторов, это готовое решение «из коробки».

    Совместимость и установка

    Какой слот нужен для Samsung MZ-VAP2T0CW

    Samsung MZ-VAP2T0CW требует слота M.2 с ключом M и поддержкой PCIe 5.0 x4. Актуальные платформы — AMD Socket AM5 (чипсеты X670E, B650E, X870E) и Intel LGA1851 (Z890). На платах с PCIe 4.0 накопитель будет работать, однако скорость снизится до ~7000 МБ/с — уровня лучших PCIe 4.0 накопителей. Для ноутбуков важен второй параметр: толщина накопителя с теплораспределителем составляет 8,88 мм — это больше стандартного одностороннего M.2 (около 2,15 мм). Перед установкой проверьте зазор в слоте ноутбука или NUC. В десктопных платах с открытым слотом и фирменным теплораспределителем проблем не возникает.

    Установка и комплектация Samsung MZ-VAP2T0CW

    Samsung MZ-VAP2T0CW поставляется с уже установленным теплораспределителем — дополнительно покупать охлаждение не нужно. Накопитель вставляется в слот M.2 под углом ~30°, затем фиксируется штатным винтом платы. По информации производителя Samsung, габариты платы — 80,15 × 25 мм (форм-фактор 2280), вес — 30 г. Если на материнской плате уже есть собственный теплораспределитель M.2 — уточните совместимость: двойной теплораспределитель может не вписаться в зазор до видеокарты или корпусных элементов.

    Samsung MZ-VAP2T0CW вид сверху — чёрный корпус с логотипом Samsung и маркировкой Solid State Drive
    Совет от редакции FormulaTV, AV и PC-направление: «Если вы переносите систему с PCIe 4.0-накопителя и замечаете, что Windows не использует весь потенциал нового SSD — проверьте в BIOS, что слот M.2 переведён в режим PCIe 5.0. На ряде плат AMD B650E режим по умолчанию установлен как PCIe 4.0 для совместимости».

    С чем сравнить в России — конкуренты в сегменте PCIe 5.0 2 ТБ

    В сегменте M.2 PCIe 5.0 объёмом 2 ТБ конкуренция в 2024–2025 году сформировалась: рядом с Samsung MZ-VAP2T0CW присутствуют Crucial T705, WD_BLACK SN850X (PCIe 4.0, но всё ещё популярен) и Seagate FireCuda 540. Ниже — сравнение по ключевым параметрам для одного объёма.

    Сравнение Samsung MZ-VAP2T0CW с конкурентами 2 ТБ M.2 NVMe — ключевые характеристики
    Модель (2 ТБ) Интерфейс Чтение / Запись (МБ/с) IOPS чт. / зап. (kIOPS) TBW DRAM-буфер Шифрование Кому подойдёт
    Samsung MZ-VAP2T0CW PCIe 5.0 x4 14 700 / 13 400 1850 / 2600 1200 ТБ 2 ГБ LPDDR4X AES 256, TCG/Opal, eDrive Рабочие станции, видеомонтаж 8K, энтузиасты
    Crucial T705 PCIe 5.0 x4 14 500 / 12 700 1500 / 1800 1200 ТБ есть AES 256 Игровые ПК, универсальное применение
    Seagate FireCuda 540 PCIe 5.0 x4 10 000 / 10 000 1400 / 2000 1000 ТБ есть AES 256 Игры, контент-создание начального уровня
    WD_BLACK SN850X PCIe 4.0 x4 7300 / 6600 1200 / 2000 1200 ТБ есть нет Игры на PS5 и ПК, широкая совместимость

    Как мы к этому пришли — эволюция PCIe у Samsung

    Samsung планомерно развивал линейку NVMe-накопителей: серия 970 EVO на PCIe 3.0, затем 980 Pro на PCIe 4.0, ставшая эталоном для поколения. MZ-VAP2T0CW представляет следующий шаг — переход на PCIe 5.0 x4 с удвоением пропускной способности шины. Главное изменение архитектуры — новый контроллер с поддержкой NVMe 2.0 и увеличенный DRAM-буфер, позволивший одновременно поднять случайные IOPS и стабильность под длительной нагрузкой. Производство на мощностях Южной Кореи, 3D NAND TLC — Samsung сохранил вертикальную интеграцию, производя и чипы памяти, и контроллер самостоятельно, что положительно влияет на консистентность характеристик между партиями.

    Инженерный компромисс — скорость против тепловыделения

    Главный trade-off Samsung MZ-VAP2T0CW — энергопотребление 8,1 Вт под нагрузкой. Это плата за скорость PCIe 5.0: для сравнения, PCIe 4.0-накопители потребляют 5–6 Вт в пике. В десктопных системах с нормальным воздушным потоком теплораспределитель в комплекте справляется без проблем. В компактных корпусах форм-фактора ITX с ограниченным воздухообменом, или если слот M.2 закрыт видеокартой вплотную — стоит убедиться, что температура не превышает допустимый порог. По наблюдениям редакции FormulaTV, накопитель заметно теплее аналогов предыдущего поколения после нескольких минут интенсивной работы, однако штатный теплораспределитель удерживает температуры в рабочем диапазоне при минимальном обдуве.

    Взгляд с другой стороны

    Контраргумент. Для большинства задач среднестатистического пользователя — загрузка Windows, запуск игр, работа с офисными документами — разница между PCIe 4.0 и PCIe 5.0 на уровне субъективных ощущений незаметна. SSD с 7000 МБ/с читает игровой уровень за доли секунды — 14 700 МБ/с делают это вдвое быстрее, но человек разницу не воспринимает.

    Когда валиден. Если нет задач, нагружающих хранилище непрерывным потоком — монтаж, рендеринг, виртуализация с десятками виртуальных машин, крупные компиляции — переплата за PCIe 5.0 экономически нецелесообразна.

    Ответ. Samsung MZ-VAP2T0CW рационален там, где хранилище реально является узким местом. Если вы уже ждёте завершения копирования или рендеринга — переход на PCIe 5.0 даст ощутимый выигрыш. Если SSD простаивает 95% времени — достаточно PCIe 4.0.

    Ошибки и их цена

    1) Установка в слот PCIe 3.0 или 4.0 в расчёте на будущий апгрейд платы — накопитель заработает, но вы заплатили за PCIe 5.0, а используете PCIe 4.0. Разница в стоимости по сравнению с топовым PCIe 4.0-аналогом пропадает впустую.

    2) Игнорирование теплопакета при сборке компактного ПК — 8,1 Вт в закрытом корпусе без воздушного потока приведут к троттлингу контроллера и снижению скорости до нескольких гигабайт в секунду. Итог: дорогой накопитель работает медленнее бюджетного конкурента.

    3) Отключение BitLocker при использовании MZ-VAP2T0CW на рабочей станции с конфиденциальными данными «из-за возможного замедления» — аппаратное шифрование AES 256 встроено в контроллер и не нагружает CPU. Шифрование можно и нужно держать включённым.

    Частые вопросы о Samsung MZ-VAP2T0CW

    Samsung MZ-VAP2T0CW физически установится в слот M.2 платы B650, но PCIe 5.0 x4 для M.2 поддерживает только B650E и X670E. Обычный B650 ограничен PCIe 4.0 на основном слоте M.2 — скорость накопителя в таком случае составит около 7000 МБ/с вместо 14 700 МБ/с. Перед покупкой проверьте спецификацию платы: в строке «M.2» должно быть указано PCIe 5.0 x4.

    Нет — теплораспределитель идёт в комплекте с Samsung MZ-VAP2T0CW, накопитель готов к установке сразу. Металлический теплораспределитель уже закреплён на плате, дополнительно ничего докупать не нужно. Единственное исключение — если ваша материнская плата оснащена собственным массивным радиатором M.2: в таком случае уточните совместимость по высоте, так как толщина MZ-VAP2T0CW с установленным теплораспределителем составляет 8,88 мм.

    Samsung MZ-VAP2T0CW физически совместим с PS5 по форм-фактору M.2 2280, однако консоль использует интерфейс PCIe 4.0 — и это ограничивает скорость до ~7000 МБ/с. Накопитель будет работать, но потенциал PCIe 5.0 останется нереализованным. Для PS5 более рациональны специализированные PCIe 4.0-накопители (WD_BLACK SN850X, Samsung 990 Pro) по сопоставимой или меньшей цене. Кроме того, толщина 8,88 мм требует проверки: в отсек PS5 рекомендуется накопитель без внешнего высокого теплораспределителя или с тонким теплораспределителем — уточните совместимость до установки.

    DWPD (Drive Writes Per Day) 0,33 означает, что гарантийный ресурс Samsung MZ-VAP2T0CW рассчитан на запись, равную одной трети объёма накопителя в день — то есть около 660 ГБ в сутки при 2 ТБ ёмкости. Суммарный ресурс составляет 1200 ТБ TBW. Для большинства задач — видеомонтаж, компиляции, виртуальные машины — реальный суточный объём записи не превышает 100–200 ГБ, что многократно ниже предела. DWPD 0,33 — это потребительский и просьюмерский уровень, не серверный (там DWPD 1–3), но для рабочей станции его более чем достаточно.

    Samsung MZ-VAP2T0CW поддерживает MS eDrive (IEEE 1667), что позволяет BitLocker в Windows 10/11 Pro и Enterprise использовать аппаратное шифрование накопителя напрямую — без программного слоя. В настройках BitLocker это включается автоматически при обнаружении совместимого накопителя. CPU при этом не задействован для шифрования: всё выполняет контроллер накопителя, производительность системы не снижается. Для активации убедитесь, что в BIOS включён режим OPAL и отключён Legacy OROM.

    Samsung MZ-VAP2T0CW примерно в два раза быстрее при последовательных операциях по сравнению с топовыми PCIe 4.0-накопителями. Это ощутимо при копировании больших файлов, экспорте видео и работе с RAW-фотоархивами — операции занимают вдвое меньше времени. При запуске игр, загрузке Windows и веб-сёрфинге разница минимальна: подобные задачи ограничены не скоростью хранилища, а другими факторами. По наблюдениям редакции FormulaTV, реальный выигрыш PCIe 5.0 проявляется при непрерывной работе с потоками данных объёмом от 50 ГБ и выше.

    Характеристики
    Основные характеристики
    Модель
    MZ-VAP2T0CW 2ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP2T0CW]
    Габариты и вес
    Ширина
    25 мм
    Вес
    30 г
    Особенности
    2GB LPDDR4X, Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
    Длина
    80.15 мм
    Толщина
    8.88 мм
    Энергопотребление
    8.1 Вт
    Максимальная скорость записи
    13400 МБ/с
    Максимальная скорость чтения
    14700 МБ/с
    Тип памяти
    TLC
    Форм-фактор
    M.2 2280
    Объем накопителя (ГБ)
    от 1960 Гб
    Интерфейс
    PCIe 5.0 x4
    Разъем подключения
    M.2
    Ресурс TBW
    от 1000 Тб, 1200 ТБ
    Скорость чтения
    от 7000 МБ/с
    Скорость записи
    от 3500 МБ/с
    Количество бит на ячейку
    3 бит TLC
    Ключ M.2 разъема
    M
    Радиатор в комплекте
    1, есть
    DRAM буфер
    1, есть
    NVMe
    1
    Объем накопителя
    2 ТБ
    Разъем
    M.2
    Структура памяти NAND
    3D NAND
    Тип жесткого диска
    внутренний твердотельный накопитель
    Поддержка NVMe
    2.0
    Поддержка TRIM
    есть
    Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
    2600 kIOPS
    Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
    1850 kIOPS
    Время наработки на отказ
    1500000 ч
    Ударостойкость при хранении
    1500 G
    Ударостойкость при работе
    1500 G
    DWPD
    0.33
    Отзывы
    Отзывов еще никто не оставлял
    Ранее просмотренные
    Обратный звонок
    Запрос успешно отправлен!
    Имя *
    Телефон *
    Предзаказ
    Предзаказ успешно отправлен!
    Имя *
    Телефон *
    Добавить в корзину
    Название товара
    100 ₽
    1 шт.
    Перейти в корзину
    Заказ в один клик
    Я ознакомлен и согласен с условиями оферты и политики конфиденциальности.