Предзаказ

SSD накопитель Samsung 990 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P4T0BW]

Name: SSD накопитель Samsung 990 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P4T0BW]
SKU: 142449

(0)

Добавить в сравнение

SSD накопитель Samsung 990 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P4T0BW]

Характеристики

Модель:

990 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P4T0BW]

Ширина:

22 мм

Вес:

9 г

Особенности:

отводящая тепло этикетка

Длина:

80 мм

Толщина:

2.3 мм

Энергопотребление:

8.5 Вт

Максимальная скорость записи:

6900 МБ/с

Максимальная скорость чтения:

7450 МБ/с

Тип памяти:

TLC

Форм-фактор:

M.2 2280

Объем накопителя (ГБ):

от 1960 Гб

Интерфейс:

PCIe 4.0 x4

Разъем подключения:

M.2

Ресурс TBW:

от 1000 Тб, 2400 ТБ

Скорость чтения:

от 7000 МБ/с

Скорость записи:

от 3500 МБ/с

Количество бит на ячейку:

3 бит MLC (TLC)

Ключ M.2 разъема:

DRAM буфер:

1, есть

NVMe:

Объем накопителя:

4 ТБ

Разъем:

M.2

Структура памяти NAND:

V-NAND TLC

Тип жесткого диска:

внутренний твердотельный накопитель

Поддержка NVMe:

есть

Поддержка TRIM:

есть

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS):

1550 kIOPS

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS):

1600 kIOPS

Время наработки на отказ:

1500000 ч

Ударостойкость при хранении:

1500 G

Ударостойкость при работе:

1500 G

DWPD:

0.33

Все характеристики

+ 798 бонусов

В наличии на складе

В корзине шт Перейти

Нет в наличии

Выбрать

Описание

Характеристики

Отзывы

Описание

SSD накопитель Samsung 990 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P4T0BW]

Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0 — это высокоскоростное и надёжное решение для вашего компьютера.

Этот SSD-накопитель идеально подходит для настольных компьютеров (desktop) и станет отличным выбором для тех, кто ценит высокую скорость и надёжность.

Характеристики

Основные характеристики

Модель

990 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P4T0BW]

Габариты и вес

Ширина

22 мм

Вес

9 г

Особенности

отводящая тепло этикетка

Длина

80 мм

Толщина

2.3 мм

Энергопотребление

8.5 Вт

Максимальная скорость записи

6900 МБ/с

Максимальная скорость чтения

7450 МБ/с

Тип памяти

TLC

Форм-фактор

M.2 2280

Объем накопителя (ГБ)

от 1960 Гб

Интерфейс

PCIe 4.0 x4

Разъем подключения

M.2

Ресурс TBW

от 1000 Тб, 2400 ТБ

Скорость чтения

от 7000 МБ/с

Скорость записи

от 3500 МБ/с

Количество бит на ячейку

3 бит MLC (TLC)

Ключ M.2 разъема

DRAM буфер

1, есть

NVMe

Объем накопителя

4 ТБ

Разъем

M.2

Структура памяти NAND

V-NAND TLC

Тип жесткого диска

внутренний твердотельный накопитель

Поддержка NVMe

есть

Поддержка TRIM

есть

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

1550 kIOPS

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

1600 kIOPS

Время наработки на отказ

1500000 ч

Ударостойкость при хранении

1500 G

Ударостойкость при работе

1500 G

DWPD

0.33

Отзывы

Отзывов еще никто не оставлял