Предзаказ

SSD накопитель Samsung 990 PRO 1ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P1T0B/AM]

Name: SSD накопитель Samsung 990 PRO 1ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P1T0B/AM]
SKU: 142830

(0)

Добавить в сравнение

Характеристики

Модель:

990 PRO 1ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P1T0B/AM]

Ширина:

22 мм

Вес:

9 г

Особенности:

для ПК, для ноутбука

Длина:

80 мм

Толщина:

2.3 мм

Энергопотребление:

7.8 Вт

Максимальная скорость записи:

6900 МБ/с

Максимальная скорость чтения:

7450 МБ/с

Тип памяти:

TLC

Форм-фактор:

M.2 2280

Объем накопителя (ГБ):

от 960 до 1 Тб

Интерфейс:

PCIe 4.0 x4

Разъем подключения:

M.2

Ресурс TBW:

от 500 до 1000 Тб, 600 ТБ

Скорость чтения:

от 7000 МБ/с

Скорость записи:

от 3500 МБ/с

Количество бит на ячейку:

3 бит MLC (TLC)

Ключ M.2 разъема:

DRAM буфер:

1, есть

NVMe:

Объем накопителя:

1 ТБ

Разъем:

M.2

Структура памяти NAND:

3D V-NAND MLC

Тип жесткого диска:

внутренний твердотельный накопитель

Поддержка NVMe:

есть

Поддержка TRIM:

есть

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS):

1550000 IOPS

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS):

1200000 IOPS

Время наработки на отказ:

1500000 ч

Ударостойкость при хранении:

1500 G

Ударостойкость при работе:

1500 G

DWPD:

0.32

Все характеристики

+ 234 бонусов

В наличии на складе

В корзине шт Перейти

Нет в наличии

Выбрать

Описание

Характеристики

Отзывы

Описание

Характеристики

Основные характеристики

Модель

990 PRO 1ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P1T0B/AM]

Габариты и вес

Ширина

22 мм

Вес

9 г

Особенности

для ПК, для ноутбука

Длина

80 мм

Толщина

2.3 мм

Энергопотребление

7.8 Вт

Максимальная скорость записи

6900 МБ/с

Максимальная скорость чтения

7450 МБ/с

Тип памяти

TLC

Форм-фактор

M.2 2280

Объем накопителя (ГБ)

от 960 до 1 Тб

Интерфейс

PCIe 4.0 x4

Разъем подключения

M.2

Ресурс TBW

от 500 до 1000 Тб, 600 ТБ

Скорость чтения

от 7000 МБ/с

Скорость записи

от 3500 МБ/с

Количество бит на ячейку

3 бит MLC (TLC)

Ключ M.2 разъема

DRAM буфер

1, есть

NVMe

Объем накопителя

1 ТБ

Разъем

M.2

Структура памяти NAND

3D V-NAND MLC

Тип жесткого диска

внутренний твердотельный накопитель

Поддержка NVMe

есть

Поддержка TRIM

есть

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

1550000 IOPS

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

1200000 IOPS

Время наработки на отказ

1500000 ч

Ударостойкость при хранении

1500 G

Ударостойкость при работе

1500 G

DWPD

0.32

Отзывы

Отзывов еще никто не оставлял