Предзаказ

SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]

Name: SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]
SKU: 142484

(0)

Добавить в сравнение

Характеристики

Модель:

990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]

Ширина:

22.15 мм

Вес:

9 г

Особенности:

Samsung V-NAND TLC

Длина:

80.15 мм

Толщина:

2.38 мм

Энергопотребление:

5.5 Вт

Максимальная скорость записи:

6300 МБ/с

Максимальная скорость чтения:

7250 МБ/с

Тип памяти:

TLC

Форм-фактор:

M.2 2280

Объем накопителя (ГБ):

от 1960 Гб

Интерфейс:

PCIe 4.0 x4

Разъем подключения:

M.2

Ресурс TBW:

от 1000 Тб, 2400 ТБ

Скорость чтения:

от 7000 МБ/с

Скорость записи:

от 3500 МБ/с

Количество бит на ячейку:

3 бит TLC

Ключ M.2 разъема:

NVMe:

Объем накопителя:

4 ТБ

Разъем:

M.2

Структура памяти NAND:

3D NAND

Тип жесткого диска:

внутренний твердотельный накопитель

Поддержка NVMe:

есть

Поддержка TRIM:

есть

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS):

1400 kIOPS

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS):

1050 kIOPS

Время наработки на отказ:

1500000 ч

Ударостойкость при хранении:

1500 G

Ударостойкость при работе:

1500 G

DWPD:

0.33

Все характеристики

+ 518 бонусов

В наличии на складе

В корзине шт Перейти

Нет в наличии

Выбрать

Описание

Характеристики

Отзывы

Описание

SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]

Представляем вам твердотельный накопитель (SSD) Samsung M.2 2280 4TB 990 EVO PLUS — надёжное и производительное решение для хранения данных. Этот накопитель обеспечивает высокую скорость чтения и записи, что позволяет ускорить загрузку операционной системы, приложений и файлов.

Этот SSD-накопитель идеально подходит для использования в компьютерах и ноутбуках, обеспечивая быструю работу и надёжность хранения данных. Благодаря своей компактности и высокой производительности, он станет отличным выбором для тех, кто ищет эффективное решение для своего устройства.

Характеристики

Основные характеристики

Модель

990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]

Габариты и вес

Ширина

22.15 мм

Вес

9 г

Особенности

Samsung V-NAND TLC

Длина

80.15 мм

Толщина

2.38 мм

Энергопотребление

5.5 Вт

Максимальная скорость записи

6300 МБ/с

Максимальная скорость чтения

7250 МБ/с

Тип памяти

TLC

Форм-фактор

M.2 2280

Объем накопителя (ГБ)

от 1960 Гб

Интерфейс

PCIe 4.0 x4

Разъем подключения

M.2

Ресурс TBW

от 1000 Тб, 2400 ТБ

Скорость чтения

от 7000 МБ/с

Скорость записи

от 3500 МБ/с

Количество бит на ячейку

3 бит TLC

Ключ M.2 разъема

NVMe

Объем накопителя

4 ТБ

Разъем

M.2

Структура памяти NAND

3D NAND

Тип жесткого диска

внутренний твердотельный накопитель

Поддержка NVMe

есть

Поддержка TRIM

есть

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

1400 kIOPS

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

1050 kIOPS

Время наработки на отказ

1500000 ч

Ударостойкость при хранении

1500 G

Ударостойкость при работе

1500 G

DWPD

0.33

Отзывы

Отзывов еще никто не оставлял