Предзаказ

SSD накопитель Samsung 9100 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP4T0BW]

(0)
(0)
Добавить в сравнение
Характеристики
Модель:
9100 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP4T0BW]
Ширина:
22.15 мм
Вес:
9 г
Особенности:
MTBF (среднее время безотказной работы) до 1 500 000 часов, совместим с PlayStation 5
Длина:
80.15 мм
Толщина:
2.38 мм
Энергопотребление:
9 Вт
Максимальная скорость записи:
13400 МБ/с
Максимальная скорость чтения:
14800 МБ/с
Тип памяти:
TLC
Форм-фактор:
M.2 2280
Объем накопителя (ГБ):
от 1960 Гб
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Разъем подключения:
M.2
Ресурс TBW:
от 1000 Тб, 2400 ТБ
Скорость чтения:
от 7000 МБ/с
Скорость записи:
от 3500 МБ/с
Количество бит на ячейку:
3 бит TLC
Ключ M.2 разъема:
M
DRAM буфер:
1, есть
NVMe:
1
Объем накопителя:
4 ТБ
Разъем:
M.2
Структура памяти NAND:
V-NAND TLC
Тип жесткого диска:
внутренний твердотельный накопитель
Контроллер NAND:
Samsung
Поддержка NVMe:
есть
Поддержка TRIM:
есть
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS):
2600 kIOPS
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS):
2200 kIOPS
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Ударостойкость при хранении:
1500 G
Ударостойкость при работе:
1500 G
DWPD:
0.33
Все характеристики
+ 0 бонусов
нет в наличии
Нет в наличии
Выбрать
    Описание
    Характеристики
    Отзывы
    Описание

    SSD накопитель Samsung 9100 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP4T0BW]

    Твердотельный накопитель Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0BW — это высокоскоростное и надёжное решение для хранения данных. 

    Samsung 9100 PRO — отличный выбор для тех, кто ищет высокоскоростной и надёжный твердотельный накопитель. 

    Характеристики
    Основные характеристики
    Модель
    9100 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP4T0BW]
    Габариты и вес
    Ширина
    22.15 мм
    Вес
    9 г
    Особенности
    MTBF (среднее время безотказной работы) до 1 500 000 часов, совместим с PlayStation 5
    Длина
    80.15 мм
    Толщина
    2.38 мм
    Энергопотребление
    9 Вт
    Максимальная скорость записи
    13400 МБ/с
    Максимальная скорость чтения
    14800 МБ/с
    Тип памяти
    TLC
    Форм-фактор
    M.2 2280
    Объем накопителя (ГБ)
    от 1960 Гб
    Интерфейс
    PCIe 5.0 x4
    Разъем подключения
    M.2
    Ресурс TBW
    от 1000 Тб, 2400 ТБ
    Скорость чтения
    от 7000 МБ/с
    Скорость записи
    от 3500 МБ/с
    Количество бит на ячейку
    3 бит TLC
    Ключ M.2 разъема
    M
    DRAM буфер
    1, есть
    NVMe
    1
    Объем накопителя
    4 ТБ
    Разъем
    M.2
    Структура памяти NAND
    V-NAND TLC
    Тип жесткого диска
    внутренний твердотельный накопитель
    Контроллер NAND
    Samsung
    Поддержка NVMe
    есть
    Поддержка TRIM
    есть
    Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
    2600 kIOPS
    Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
    2200 kIOPS
    Время наработки на отказ
    1500000 ч
    Ударостойкость при хранении
    1500 G
    Ударостойкость при работе
    1500 G
    DWPD
    0.33
    Отзывы
    Отзывов еще никто не оставлял
    Ранее просмотренные
    Обратный звонок
    Запрос успешно отправлен!
    Имя *
    Телефон *
    Предзаказ
    Предзаказ успешно отправлен!
    Имя *
    Телефон *
    Добавить в корзину
    Название товара
    100 ₽
    1 шт.
    Перейти в корзину
    Заказ в один клик
    Я ознакомлен и согласен с условиями оферты и политики конфиденциальности.