Предзаказ

Оперативная память Samsung M425R1GB4PB0-CWM, DDR5 1х 8ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM

(0)
(0)
Добавить в сравнение
Характеристики
Модель:
M425R1GB4PB0-CWM, DDR5 1х 8ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM
Ширина:
69.6 мм
Высота:
30 мм
Комплектация:
модуль памяти 1 шт
Назначение:
для ноутбуков
Напряжение питания:
1.1 В
Тактовая частота:
5600 МГц
Частота памяти:
5600 МГц
Пропускная способность:
44800 Мб/с
Тип памяти:
DDR5
Тип поставки:
OEM
Объем памяти комплекта:
8 Гб
Объем одного модуля:
8 Гб
Форм-фактор:
SODIMM
Латентность:
CL46
Радиатор охлаждения:
да
Количество в упаковке:
1 шт
Назначение оперативной памяти:
для ноутбуков
Количество модулей:
1 шт
Суммарный объем памяти всегокомплекта:
8 Гб
Количество контактов:
262
Показатель скорости:
PC5-44800
Задержка:
46-46-46
CAS Latency (CL):
46
Row Precharge Delay (tRP:
46
RAS to CAS Delay (tRCD):
46
Все характеристики
+ 118 бонусов
нет в наличии
Нет в наличии
Выбрать
    Описание
    Характеристики
    Отзывы
    Описание

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM — модуль оперативной памяти стандарта DDR5 в форм-факторе SODIMM объёмом 8 ГБ с тактовой частотой 5600 МГц, предназначенный для ноутбуков с поддержкой DDR5.

    • Тип памяти: DDR5, SODIMM (для ноутбуков)
    • Объём: 8 ГБ, один модуль
    • Частота / скорость: 5600 МГц, PC5-44800, пропускная способность 44 800 МБ/с
    • Для кого: апгрейд ноутбука, сборка мобильной рабочей станции, замена штатного модуля
    Samsung M425R1GB4PB0-CWM DDR5 SODIMM 8 ГБ 5600 МГц — вид сверху, микросхемы и маркировка

    Коротко — для кого эта оперативная память

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM подходит для апгрейда ноутбука, в котором один слот SODIMM DDR5 свободен или занят аналогичным модулем для работы в двухканальном режиме. Это OEM-поставка — без розничной упаковки и фирменного блистера, но с тем же производственным качеством, что и retail-версии.

    Главные плюсы и ограничения Samsung M425R1GB4PB0-CWM

    Модуль обеспечивает хорошую скорость для рабочих задач и многозадачности при умеренном энергопотреблении — характерном для DDR5 с питанием 1,1 В.

    • DDR5 с частотой 5600 МГц — актуальный стандарт для современных платформ Intel и AMD
    • Пропускная способность 44 800 МБ/с (PC5-44800) — заметный прирост пропускной способности против DDR4
    • Напряжение 1,1 В — ниже, чем у DDR4 (1,2 В), экономит ресурс аккумулятора ноутбука
    • Производитель Samsung — один из крупнейших производителей DRAM-чипов, высокая стабильность
    • OEM-поставка — гарантия 1 год (а не стандартные 3 года для retail); проверяйте условия у продавца
    • Только 8 ГБ — для ресурсоёмких задач (видеомонтаж, виртуальные машины) одного модуля недостаточно; рассмотрите установку второго для двухканала
    • Тайминги CL46 — высокие по меркам DDR5 (у разгонных модулей CL36–40), но типичные для SODIMM-решений с автоматической JEDEC-конфигурацией

    DDR5 SODIMM 5600 МГц — что даёт апгрейд на практике

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM в двухканальном режиме — стоит ли добавлять второй модуль

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM в паре с идентичным модулем активирует двухканальный режим и удваивает суммарную пропускную способность до ~89 600 МБ/с. Для ноутбуков с интегрированной графикой это заметно влияет на производительность: встроенное GPU использует системную RAM вместо выделенной видеопамяти, и чем выше полоса пропускания, тем выше производительность в графических задачах. По наблюдениям специалистов FormulaTV в условиях шоурума, переход с одного модуля на двухканальную конфигурацию в ноутбуках с Intel Core Ultra и AMD Ryzen 7000 ощутимо ускоряет рендеринг и работу браузера с множеством вкладок. Если ноутбук поддерживает два слота SODIMM — имеет смысл сразу брать два модуля.

    Что означает PC5-44800 и тайминги 46-46-46 для повседневной работы

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM имеет спецификацию PC5-44800 — это пиковая пропускная способность 44 800 МБ/с при частоте 5600 МГц. Тайминги CL46 (CAS Latency 46, tRCP 46, tRP 46) на первый взгляд высоки относительно DDR4, однако абсолютная латентность в наносекундах у DDR5 5600 МГц сопоставима с DDR4 3200 МГц CL22 — более высокая частота компенсирует большее число тактов ожидания. В рабочих сценариях: браузер, офисные приложения, Python/Node.js-разработка — разница в таймингах между CL46 и CL40 не ощутима. Для игровых задач разрыв также минимален на уровне SODIMM-решений.

    Совместимость — какие ноутбуки поддерживают DDR5 SODIMM

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM совместим с ноутбуками на платформах Intel 12-го поколения (Alder Lake) и новее, AMD Ryzen 6000 и новее, поддерживающими DDR5 SODIMM. Слот имеет 262 контакта — физически несовместим с DDR4-слотами (200 контактов), что исключает случайную установку в несовместимое устройство. Перед покупкой необходимо свериться с официальной страницей поддержки ноутбука или документацией материнской платы: не все модели на перечисленных платформах поддерживают DDR5 — часть производителей выпускала DDR4-версии тех же линеек.

    Совет от Редакции FormulaTV: «Перед заказом откройте страницу ноутбука на сайте производителя и найдите пункт "Memory" в спецификациях — там явно указывается DDR4 или DDR5. Если ноутбук был куплен с 8 ГБ памяти и один слот свободен, установите второй идентичный модуль: прирост в многозадачности будет заметен сразу — системе не придётся использовать файл подкачки при открытии 20+ вкладок браузера одновременно».

    Конструкция и физические характеристики модуля

    Размеры и форм-фактор Samsung M425R1GB4PB0-CWM

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM выполнен в стандартном форм-факторе SODIMM с габаритами 69,6 × 30 мм — размер, принятый для большинства ноутбучных слотов памяти. Модуль не имеет теплораспределителя: корпусные ноутбуки с активным охлаждением работают с DDR5 в штатном режиме без дополнительного рассеивания тепла. Напряжение питания 1,1 В обеспечивает меньший нагрев по сравнению с DDR4 при аналогичной нагрузке — по информации производителя, это один из ключевых параметров стандарта DDR5 для мобильных устройств.

    С чем сравнить в России

    На российском рынке DDR5 SODIMM 8 ГБ 5600 МГц представлен несколькими производителями. Ниже — сравнение по ключевым параметрам.

    Сравнение Samsung M425R1GB4PB0-CWM с аналогами — DDR5 SODIMM 8 ГБ
    Модуль Тип / форм-фактор Частота Тайминги (CL) Пропускная способность Напряжение Поставка Кому подойдёт
    Samsung M425R1GB4PB0-CWM DDR5 SODIMM 5600 МГц CL46 44 800 МБ/с 1,1 В OEM Апгрейд, замена штатного модуля
    Kingston KVR56S46BS6-8 DDR5 SODIMM 5600 МГц CL46 44 800 МБ/с 1,1 В Retail Апгрейд, нужна розничная упаковка
    Crucial CT8G56C46S5 DDR5 SODIMM 5600 МГц CL46 44 800 МБ/с 1,1 В Retail Апгрейд, широкая совместимость
    Micron MTC4C10163S1SC56BA1 DDR5 SODIMM 5600 МГц CL46 44 800 МБ/с 1,1 В OEM OEM-замена, корпоративный апгрейд

    По информации производителя, Samsung использует собственные DRAM-чипы в модулях серии M425R — это отличает их от части конкурентов, которые могут применять чипы сторонних поставщиков. При одинаковых JEDEC-параметрах выбор между производителями чаще определяется ценой и условиями гарантии.

    Как мы к этому пришли — эволюция стандарта DDR5 для ноутбуков

    От DDR4 к DDR5 — почему переход произошёл именно сейчас

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM представляет второй массовый этап DDR5 для мобильного сегмента. DDR5 был стандартизирован JEDEC в 2020 году, однако широкое внедрение в ноутбуки началось с платформ Intel Alder Lake (2021–2022) и AMD Ryzen 6000 (2022). На начальном этапе DDR5 5600 МГц был редкостью — большинство модулей работало на 4800 МГц. К 2024–2025 годам 5600 МГц стал массовой нормой для SODIMM DDR5, обеспечивая баланс между частотой, задержками и энергопотреблением. По данным наблюдений FormulaTV, этот сегмент демонстрирует наибольший спрос среди запросов на апгрейд ноутбуков в шоуруме — клиенты мигрируют с 8 ГБ DDR4 на 16+ ГБ DDR5 при переходе на новое поколение устройств.

    Инженерный компромисс

    OEM-поставка против Retail — что вы получаете и от чего отказываетесь

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM поставляется в формате OEM — без розничной упаковки, в антистатическом пакете. Это прямое следствие ориентации на корпоративный рынок и системных интеграторов, которым не нужна красивая коробка, но важна цена. Аппаратно модуль идентичен retail-версиям: те же чипы, те же параметры, тот же завод. Компромисс — сокращённая гарантия (1 год против типичных 3 лет у retail Kingston или Crucial) и отсутствие программы замены без вопросов. Для частного пользователя это означает: если модуль выйдет из строя на второй год — гарантийный случай не покроется. При длительном горизонте эксплуатации retail-аналог за небольшую доплату может оказаться практичнее.

    Совет от Редакции FormulaTV: «OEM-версии выгоднее при одновременной покупке нескольких модулей для парка устройств. Если берёте один модуль "для себя" — сравните итоговую цену с retail Crucial или Kingston той же частоты: разница нередко укладывается в 300–500 ₽, при этом retail даёт трёхлетнюю гарантию и более предсказуемый процесс замены при дефекте».

    Взгляд с другой стороны

    Контраргумент. 8 ГБ DDR5 — слишком мало для современного ноутбука: Windows 11 с браузером и парой фоновых приложений легко занимает 6–7 ГБ, а значит, система уйдёт в подкачку при первой серьёзной нагрузке.

    Когда валиден. Аргумент справедлив, если Samsung M425R1GB4PB0-CWM рассматривается как единственный модуль в системе без возможности добавить второй. Для ноутбуков с запаянной памятью (MacBook, часть Lenovo ThinkPad X1) вопрос неактуален — они апгрейду не подлежат.

    Ответ. Модуль рационален в двух сценариях: добавление к уже установленным 8 ГБ для получения 16 ГБ в двухканале — или замена неисправного штатного модуля. Покупка одного 8-ГБ модуля как единственной памяти в новую сборку в 2025 году действительно не оптимальна — лучше сразу взять два по 8 ГБ или один 16-ГБ модуль.

    Ошибки и их цена

    1) Купить DDR5 SODIMM для ноутбука с DDR4-слотом — модуль физически не встанет (разный ключ и количество контактов), деньги потрачены впустую, возврат занимает время.

    2) Поставить один 8-ГБ модуль в систему с двумя слотами и ждать прироста производительности — без второго модуля одноканальный режим ограничивает пропускную способность примерно вдвое; для ноутбуков с интегрированной графикой это заметное снижение в графических задачах.

    3) Игнорировать QVL (Qualified Vendor List) материнской платы ноутбука — большинство современных платформ принимают стандартные JEDEC-модули без проблем, однако ряд производителей (особенно в бюджетном сегменте) ограничивает поддерживаемые конфигурации; проверка QVL занимает 2 минуты и исключает риск несовместимости.

    Вопросы о Samsung M425R1GB4PB0-CWM

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM подходит для ноутбуков с DDR5 SODIMM-слотом — это ноутбуки на Intel 12-го поколения (Alder Lake) и новее, AMD Ryzen 6000 и новее. Слот SODIMM DDR5 имеет 262 контакта и физически несовместим с DDR4-слотами, поэтому случайно вставить в несовместимый ноутбук не получится. Для проверки совместимости откройте официальную страницу вашего ноутбука на сайте производителя — в разделе «Характеристики» должно быть явно указано DDR5.

    Да, Samsung M425R1GB4PB0-CWM можно установить вторым модулем к уже имеющемуся — при совпадении частоты 5600 МГц система активирует двухканальный режим. Для стабильной работы в двухканале рекомендуется использовать два одинаковых модуля — тот же производитель, та же частота, те же тайминги. Два модуля по 8 ГБ дадут 16 ГБ суммарно и заметно увеличат пропускную способность, что особенно важно для ноутбуков с интегрированной графикой.

    OEM — это официальный тип поставки для корпоративного рынка и системных интеграторов, не «серый» товар. Samsung M425R1GB4PB0-CWM поставляется без розничной упаковки (в антистатическом пакете), но аппаратно идентичен retail-версиям — те же чипы Samsung, те же параметры 5600 МГц CL46. Отличие от retail одно: гарантия составляет 1 год, а не 3 года, как у большинства брендовых retail-модулей.

    Samsung M425R1GB4PB0-CWM обеспечивает пропускную способность 44 800 МБ/с — против ~25 600 МБ/с у DDR4-3200. Это примерно на 75% выше по полосе пропускания, что ощутимо для задач с большим потоком данных: работа с большими файлами, виртуальные машины, ноутбуки с интегрированной графикой (GPU берёт пропускную способность из системной памяти). В браузере и офисных приложениях разница между DDR4 и DDR5 практически не заметна. Дополнительный плюс DDR5 — напряжение 1,1 В против 1,2 В у DDR4, что немного продлевает работу от аккумулятора.

    Для SODIMM DDR5 5600 МГц тайминги CL46 у Samsung M425R1GB4PB0-CWM — это стандарт JEDEC, а не недостаток. Абсолютная задержка (в наносекундах) у DDR5 5600 МГц CL46 сопоставима с DDR4 3200 МГц CL22: более высокая частота компенсирует большее число тактов ожидания. В реальных задачах — браузер, разработка, офис — разница между CL46 и условным CL40 не ощутима. Низкие тайминги (CL36–40) встречаются у разгонных DIMM для настольных ПК и стоят значительно дороже.

    Для установки Samsung M425R1GB4PB0-CWM нужно снять нижнюю крышку ноутбука (обычно 4–8 винтов), найти SODIMM-слот, вставить модуль под углом ~30° до щелчка и опустить до фиксации боковыми зажимами. Весь процесс занимает 10–15 минут. Перед началом обязательно выключите ноутбук, отключите зарядное устройство и снимите статическое электричество, прикоснувшись к металлической поверхности. Конкретный порядок разборки зависит от модели ноутбука — уточните в руководстве или на YouTube-канале производителя вашего устройства.

    Для лёгких задач — браузер с 10–15 вкладками, офисные приложения, почта — Samsung M425R1GB4PB0-CWM с 8 ГБ достаточен. Для более серьёзных сценариев: видеомонтаж, работа в IDE с несколькими проектами, виртуальные машины — 8 ГБ будет тесно, система начнёт использовать файл подкачки. Оптимальное решение — установить этот модуль вторым к уже имеющемуся для получения 16 ГБ DDR5 в двухканальном режиме.

    Характеристики
    Основные характеристики
    Модель
    M425R1GB4PB0-CWM, DDR5 1х 8ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM
    Комплектация
    Комплектация
    модуль памяти 1 шт
    Габариты и вес
    Высота
    30 мм
    Ширина
    69.6 мм
    Назначение
    для ноутбуков
    Напряжение питания
    1.1 В
    Тактовая частота
    5600 МГц
    Частота памяти
    5600 МГц
    Пропускная способность
    44800 Мб/с
    Тип памяти
    DDR5
    Тип поставки
    OEM
    Объем памяти комплекта
    8 Гб
    Объем одного модуля
    8 Гб
    Форм-фактор
    SODIMM
    Латентность
    CL46
    Радиатор охлаждения
    да
    Количество в упаковке
    1 шт
    Назначение оперативной памяти
    для ноутбуков
    Количество модулей
    1 шт
    Суммарный объем памяти всегокомплекта
    8 Гб
    Количество контактов
    262
    Показатель скорости
    PC5-44800
    Задержка
    46-46-46
    CAS Latency (CL)
    46
    Row Precharge Delay (tRP
    46
    RAS to CAS Delay (tRCD)
    46
    Отзывы
    Отзывов еще никто не оставлял
    Ранее просмотренные
    Обратный звонок
    Запрос успешно отправлен!
    Имя *
    Телефон *
    Предзаказ
    Предзаказ успешно отправлен!
    Имя *
    Телефон *
    Добавить в корзину
    Название товара
    100 ₽
    1 шт.
    Перейти в корзину
    Заказ в один клик
    Я ознакомлен и согласен с условиями оферты и политики конфиденциальности.