Предзаказ

Оперативная память Samsung M323R1GB4PB0-CWM, DDR5 1х 8ГБ 5600 МГц, DIMM, OEM

(0)
(0)
Добавить в сравнение
Характеристики
Модель:
M323R1GB4PB0-CWM, DDR5 1х 8ГБ 5600 МГц, DIMM, OEM
Ширина:
133.35 мм
Высота:
31.25 мм
Комплектация:
модуль памяти 1 шт, документация
Особенности:
нормальная операционная температура - C 85
Назначение:
для компьютеров
Напряжение питания:
1.1 В
Тактовая частота:
5600 МГц
Частота памяти:
5600 МГц
Пропускная способность:
44800 Мб/с
Тип памяти:
DDR5
Тип поставки:
OEM
Объем памяти комплекта:
8 Гб
Объем одного модуля:
8 Гб
Форм-фактор:
DIMM
Латентность:
CL40
Радиатор охлаждения:
да
Количество в упаковке:
1 шт
Назначение оперативной памяти:
для компьютеров
Количество модулей:
1 шт
Суммарный объем памяти всегокомплекта:
8 Гб
Количество контактов:
288
Показатель скорости:
PC5-44800
Задержка:
40-40-40
CAS Latency (CL):
40
Row Precharge Delay (tRP:
40
RAS to CAS Delay (tRCD):
40
Все характеристики
+ 158 бонусов
В наличии на складе
Нет в наличии
Выбрать
    Описание
    Характеристики
    Отзывы
    Описание

    Samsung M323R1GB4PB0-CWM — модуль оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 8 ГБ с тактовой частотой 5600 МГц в форм-факторе DIMM, предназначенный для настольных компьютеров на современных платформах Intel и AMD.

    • Тип памяти: DDR5, 288 контактов, DIMM
    • Объём / частота: 8 ГБ, 5600 МГц (PC5-44800)
    • Тайминги: CL40-40-40, напряжение 1,1 В
    • Для кого: сборки и апгрейд ПК на DDR5-платформах, OEM-поставка
    Samsung M323R1GB4PB0-CWM DDR5 8ГБ 5600 МГц DIMM модуль — микросхемы, этикетка, 288-контактный разъём

    Коротко — для кого этот модуль памяти

    Samsung M323R1GB4PB0-CWM подходит для сборки нового ПК или апгрейда существующей системы на платформе DDR5 — Intel Core 12-го поколения и новее, AMD Ryzen 7000 серии и новее. Один модуль 8 ГБ с частотой 5600 МГц обеспечивает базовый объём для офисных задач, учёбы и лёгкой работы с мультимедиа; для игр и ресурсоёмких приложений редакция FormulaTV рекомендует рассматривать комплект из двух модулей (двухканальный режим).

    Главные плюсы и ограничения Samsung M323R1GB4PB0-CWM

    Модуль Samsung M323R1GB4PB0-CWM сочетает высокую тактовую частоту DDR5 с умеренной ценой OEM-поставки, но рассчитан на однослотовую установку без оверклокерских профилей.

    • Частота 5600 МГц — максимальная для стандартной спецификации DDR5 JEDEC без разгона
    • Производитель — Samsung: собственное производство чипов, высокая стабильность и совместимость
    • Напряжение 1,1 В — стандарт DDR5, без дополнительных требований к питанию
    • OEM-поставка — цена ниже розничной версии при идентичных характеристиках чипов
    • Один модуль 8 ГБ — без второго слота система работает в одноканальном режиме, пропускная способность вдвое ниже потенциала платформы
    • Тайминги CL40 — типичны для DDR5 5600, но уступают по латентности разогнанным комплектам с CL30–36
    • OEM-упаковка — гарантия Samsung 1 год (не 3 года, как у большинства розничных DDR5)

    Технические характеристики и совместимость

    Частота, пропускная способность и тайминги Samsung M323R1GB4PB0-CWM

    Samsung M323R1GB4PB0-CWM работает на частоте 5600 МГц (стандарт PC5-44800) с пропускной способностью 44 800 МБ/с. Это верхняя граница спецификации JEDEC DDR5 без применения XMP/EXPO-профилей, что гарантирует запуск на любой DDR5-совместимой материнской плате без ручного разгона.

    Тайминги CL40-40-40 при 5600 МГц — стандартное значение для нативной DDR5 этой частоты. На практике разница в задержках между CL40 и более агрессивными таймингами ощутима преимущественно в синтетических бенчмарках, а не в реальных рабочих сценариях. Напряжение питания составляет 1,1 В — соответствует спецификации DDR5, дополнительные требования к VRM материнской платы не предъявляются.

    Форм-фактор и физические параметры модуля

    Samsung M323R1GB4PB0-CWM выполнен в форм-факторе DIMM с 288 контактами — стандарт для настольных систем. По информации производителя, размеры модуля составляют 133,35 × 31,25 мм; высота 31,25 мм соответствует профилю low-profile, что важно при установке в корпуса с плотной компоновкой или при использовании крупных башенных кулеров процессора.

    Нормальная операционная температура — до 85 °C: модуль рассчитан на эксплуатацию в штатных условиях настольного ПК без дополнительного охлаждения. Радиатора в конструкции нет, что стандартно для нераскрытого DDR5-модуля без оверклокерских задач.

    Совместимость с платформами Intel и AMD

    Samsung M323R1GB4PB0-CWM совместим с платформами, поддерживающими DDR5 DIMM: Intel LGA1700 (12-е и 13-е поколение Core), LGA1851 (Core Ultra 200-й серии), AMD AM5 (Ryzen 7000, 8000, 9000-й серии). По наблюдениям специалистов FormulaTV в условиях шоурума, модули Samsung серии M323R стабильно инициализируются на материнских платах ведущих производителей без дополнительной настройки BIOS.

    Модуль не совместим с платформами DDR4: Intel LGA1200, LGA1151, AMD AM4 — физически несовместимый разъём, установка невозможна.

    Совет от Редакции FormulaTV: «Если собираете систему с нуля и бюджет позволяет, берите сразу два идентичных модуля M323R1GB4PB0-CWM — двухканальный режим DDR5 на платформах Intel и AMD удваивает реальную пропускную способность. Разница в игровых сценариях и при работе с памятью-интенсивными приложениями (рендер, виртуализация) измеримо заметна уже в первые минуты использования».

    OEM-поставка — что это означает на практике

    Чем OEM-версия Samsung M323R1GB4PB0-CWM отличается от розничной

    Samsung M323R1GB4PB0-CWM поставляется в формате OEM — без розничной упаковки. В комплекте идут сам модуль памяти и документация; никаких дополнительных аксессуаров не предусмотрено. Технические характеристики чипов и производительность идентичны розничным версиям — разница только в упаковке и гарантийных условиях.

    Гарантия Samsung на данный OEM-модуль составляет 1 год — это стандарт для корпоративных и OEM-поставок. Розничные модули DDR5 того же бренда, как правило, идут с 3-летней гарантией. Для апгрейда существующей системы или сборки рабочего ПК разница в условиях гарантии редко критична; для сборок с расчётом на длительную эксплуатацию без вмешательства стоит это учитывать.

    Маркировка M323R1GB4PB0-CWM — что означают символы

    В артикуле Samsung M323R1GB4PB0-CWM зашифрованы ключевые параметры: M323R — серия DDR5 для настольных систем, 1GB4 — плотность 8 Гб (однорядный 8 Гб), PB0 — тип корпуса и организация массива, CWM — ревизия и TargetSpeed (5600 МГц). Это помогает при подборе второго идентичного модуля для двухканального режима — артикул должен совпадать полностью.

    Совет от Редакции FormulaTV: «При подборе пары для двухканала на OEM-модулях сверяйте артикул до последней буквы, включая суффикс CWM. Разные ревизии одного объёма и частоты могут работать вместе, но гарантированная стабильность — только при совпадении полного кода производителя».

    С чем сравнить в России

    На российском рынке Samsung M323R1GB4PB0-CWM конкурирует с модулями DDR5 8 ГБ 5600 МГц аналогичного сегмента от Kingston, Crucial и SK Hynix. Ниже — сравнение по ключевым параметрам.

    Сравнение Samsung M323R1GB4PB0-CWM с конкурентами — DDR5 8 ГБ DIMM для настольных ПК
    Модель Тип / форм-фактор Объём Частота Тайминги (CL) Напряжение Поставка / гарантия Кому подойдёт
    Samsung M323R1GB4PB0-CWM DDR5 / DIMM 8 ГБ 5600 МГц CL40 1,1 В OEM / 1 год Экономичная сборка/апгрейд на DDR5
    Kingston ValueRAM KVR56U46BS6-8 DDR5 / DIMM 8 ГБ 5600 МГц CL46 1,1 В Retail / Lifetime Бюджетная сборка, розничная гарантия
    Crucial CT8G56C46U5 DDR5 / DIMM 8 ГБ 5600 МГц CL46 1,1 В Retail / Lifetime Офисный ПК, надёжная совместимость
    SK Hynix HMCG66MEBUA081N DDR5 / DIMM 8 ГБ 4800 МГц CL40 1,1 В OEM / 1 год Базовая DDR5-платформа, нижний ценовой сегмент

    По соотношению частоты и таймингов Samsung M323R1GB4PB0-CWM выглядит предпочтительнее Kingston и Crucial в сегменте 5600 МГц: CL40 против CL46 означает меньшую абсолютную латентность при одинаковой частоте. По данным редакции FormulaTV, разница между CL40 и CL46 на частоте 5600 МГц составляет около 1–2 нс реальной задержки — ощутимо в синтетических тестах, на практике — менее значимо.

    Инженерный компромисс

    Почему Samsung выбрал CL40 при 5600 МГц — и что теряется

    Samsung M323R1GB4PB0-CWM реализует нативный профиль JEDEC DDR5-5600 с таймингами CL40. Это решение обеспечивает максимальную совместимость: модуль корректно инициализируется на любой DDR5-материнской плате без ручного вмешательства в BIOS, что критично для OEM-сборок и корпоративных поставок.

    Компромисс — в отсутствии XMP 3.0 / EXPO-профилей. Модули с аналогичной частотой 5600 МГц, но с XMP-профилями на CL30–34 обеспечивают заметно меньшую абсолютную латентность. Для рабочей станции или игрового ПК, где критична минимальная задержка памяти, это различие измеримо. Для офисной машины или медиацентра — несущественно.

    Взгляд с другой стороны

    Контраргумент. За сопоставимую цену можно взять розничный DDR5-комплект 2 × 8 ГБ 4800 МГц с пожизненной гарантией — суммарный объём тот же, режим двухканальный, гарантия лучше.

    Когда валиден. Если система собирается с нуля и оба слота памяти свободны — комплект 2 × 8 ГБ DDR5 4800 МГц в двухканале по реальной пропускной способности превзойдёт одиночный модуль 8 ГБ DDR5 5600 МГц. Двухканальный режим удваивает суммарную пропускную способность.

    Ответ. Samsung M323R1GB4PB0-CWM рационален в трёх сценариях: апгрейд системы с уже установленным идентичным модулем (второй слот для двухканала), замена вышедшего из строя одиночного модуля, сборка с жёстким ограничением бюджета под конкретную частоту 5600 МГц. Если свободны оба слота — рассмотрите парный комплект.

    Ошибки и их цена

    1) Установка DDR5-модуля в DDR4-слот — физически невозможна из-за разного расположения ключа (288 vs 288 контактов, но ключ сдвинут). Риск: повреждение слота при попытке принудительной установки. Перед покупкой проверьте спецификацию материнской платы.

    2) Покупка одного модуля 8 ГБ для платформы, где оба слота пусты — система запускается в одноканальном режиме. Потери пропускной способности: до 40–50% относительно двухканального режима на тех же чипах. Цена ошибки — снижение производительности в ресурсоёмких задачах без возможности исправить без второй покупки.

    3) Смешивание модулей разных артикулов в двухканальном режиме — система может стартовать, но стабильность на максимальной частоте не гарантирована. При расширении RAM рекомендуется добавлять идентичный модуль M323R1GB4PB0-CWM.

    Совет от Редакции FormulaTV: «Перед покупкой проверьте QVL-лист (Qualified Vendor List) вашей материнской платы на сайте производителя. Samsung M323R1GB4PB0-CWM — распространённый OEM-модуль, который фигурирует в QVL большинства актуальных DDR5-платформ, но сверка занимает две минуты и исключает любые неожиданности при первом запуске».

    Как мы к этому пришли

    Эволюция DDR5 и место Samsung M323R в линейке

    Стандарт DDR5 был представлен в 2021 году — первые модули стартовали на 4800 МГц с напряжением 1,1 В (против 1,35 В у DDR4-3200). Встроенный регулятор питания PMIC перенесён с материнской платы на сам модуль памяти: это снизило электрические помехи, но усложнило конструкцию и добавило возможную точку отказа.

    Samsung серии M323R — массовое OEM-поколение DDR5 на чипах собственного производства. По наблюдениям специалистов FormulaTV, за два года присутствия на рынке модули этой серии демонстрируют высокую стабильность на нативных частотах JEDEC. Частота 5600 МГц стала стандартом JEDEC DDR5 Rev. 1.0 в 2022 году — именно её поддерживают процессоры Intel Core 13-го поколения и AMD Ryzen 7000 серии без разгона.

    Часто задаваемые вопросы

    Нет, Samsung M323R1GB4PB0-CWM не совместим с DDR4-платформами — физически нельзя установить. DDR5 DIMM имеет 288 контактов с иным расположением ключа, чем DDR4. Перед покупкой проверьте тип памяти, поддерживаемой вашей материнской платой: он указан в спецификации на сайте производителя платы. Если на плате написано DDR4 — этот модуль не подойдёт, нужна DDR4-версия.

    Да, Samsung M323R1GB4PB0-CWM поддерживает двухканальный режим при установке двух идентичных модулей. Для этого нужен второй модуль с тем же артикулом M323R1GB4PB0-CWM и установка в правильные слоты — как правило, слоты A2 и B2 (уточните в руководстве к материнской плате). В двухканальном режиме суммарная пропускная способность возрастает примерно вдвое: с одиночного модуля вы получаете до 44 800 МБ/с, пара даёт до 89 600 МБ/с.

    В комплекте — один модуль памяти и документация. Розничной коробки, наклеек и прочих аксессуаров нет — это стандартная OEM-поставка. Технические характеристики чипа идентичны розничной версии; разница только в упаковке и сроке гарантии (1 год у OEM против 3 лет у большинства розничных DDR5-модулей Samsung).

    Нет, Samsung M323R1GB4PB0-CWM работает на 5600 МГц по умолчанию как нативный профиль JEDEC — без включения XMP или EXPO. Модуль автоматически инициализируется на 5600 МГц при установке в DDR5-совместимую плату. XMP/EXPO на этом модуле не предусмотрены: нет смысла их искать в BIOS для данного артикула.

    Да, Samsung M323R1GB4PB0-CWM совместим с платформой AMD AM5 (Ryzen 7000, 8000, 9000-й серий) — все эти процессоры нативно поддерживают DDR5 DIMM до 5600 МГц. По наблюдениям специалистов FormulaTV, модули Samsung серии M323R стабильно стартуют на AM5-платах ведущих производителей. Для уверенности проверьте QVL-лист вашей конкретной материнской платы на официальном сайте производителя платы.

    Технически разгон возможен вручную через BIOS — чипы Samsung серии B-die исторически хорошо масштабируются по частоте. Однако M323R1GB4PB0-CWM — OEM-модуль без сертифицированных XMP-профилей, и стабильность разгона выше 5600 МГц зависит от конкретной связки платы и процессора. Разгон OEM-памяти — на риск пользователя и выходит за рамки гарантийных обязательств Samsung.

    Нет, Samsung M323R1GB4PB0-CWM не требует дополнительного радиатора при работе на штатной частоте 5600 МГц. Рабочая температура модуля не превышает допустимых 85 °C при нормальном корпусном обдуве. Радиаторы актуальны для разогнанных комплектов выше 6000 МГц или при установке в корпуса с ограниченным воздушным потоком — для стандартных условий эксплуатации они избыточны.

    Характеристики
    Основные характеристики
    Модель
    M323R1GB4PB0-CWM, DDR5 1х 8ГБ 5600 МГц, DIMM, OEM
    Комплектация
    Комплектация
    модуль памяти 1 шт, документация
    Габариты и вес
    Высота
    31.25 мм
    Ширина
    133.35 мм
    Особенности
    нормальная операционная температура - C 85
    Назначение
    для компьютеров
    Напряжение питания
    1.1 В
    Тактовая частота
    5600 МГц
    Частота памяти
    5600 МГц
    Пропускная способность
    44800 Мб/с
    Тип памяти
    DDR5
    Тип поставки
    OEM
    Объем памяти комплекта
    8 Гб
    Объем одного модуля
    8 Гб
    Форм-фактор
    DIMM
    Латентность
    CL40
    Радиатор охлаждения
    да
    Количество в упаковке
    1 шт
    Назначение оперативной памяти
    для компьютеров
    Количество модулей
    1 шт
    Суммарный объем памяти всегокомплекта
    8 Гб
    Количество контактов
    288
    Показатель скорости
    PC5-44800
    Задержка
    40-40-40
    CAS Latency (CL)
    40
    Row Precharge Delay (tRP
    40
    RAS to CAS Delay (tRCD)
    40
    Отзывы
    Отзывов еще никто не оставлял
    Ранее просмотренные
    Обратный звонок
    Запрос успешно отправлен!
    Имя *
    Телефон *
    Предзаказ
    Предзаказ успешно отправлен!
    Имя *
    Телефон *
    Добавить в корзину
    Название товара
    100 ₽
    1 шт.
    Перейти в корзину
    Заказ в один клик
    Я ознакомлен и согласен с условиями оферты и политики конфиденциальности.